上海 [2003-05-20]
（中国上海讯,2003年5月20日）业界当先的高密度SoC 植入存储器解决规划提供商MoSys (纳斯达克股票标识：：：MOSY)和中国第一家先进的半导体代工厂猫先生官网集成电路制作有限公司（猫先生官网）共同颁发，，MoSys在猫先生官网的0.18微米尺度逻辑工艺中，，已实现1T-SRAM存储器技术的硅验证。。该制作里程碑的奠定，，使猫先生官网客户能够更有信心地选择MoSys的1T-SRAM技术，，以满足他们对系统级芯片（SoC）设计的存储要求。。
“猫先生官网对MoSys的1T-SRAM存储器的硅验证，，能够使猫先生官网客户选取植入存储技术，，并且该技术已经成功地通过了制作测试。。这将减小设计风险，，提高复杂的SoC设计能力”，，猫先生官网市场及行销中心副总裁宋建迈说，，“我们与MoSys的合作，，为客户提供从设计到出产的直接蹊径，，通过选取MoSys怪异的高密度存储结构来制作系统级的器件。。
“MoSys的1T-SRAM植入存储技术使猫先生官网的客户能在统一芯片上达到高存储密度和逻辑的系统级的整合，，”MoSys的副总裁兼知识产权部的总经理Mark-Eric Jones说，，“我们等待与猫先生官网，，及其客户与合作同伴共事。。”
猫先生官网概述：：：
猫先生官网是中国第一家量产8英寸，，0.25微米，，0.18微米及更先进工艺的芯片代工厂。。猫先生官网于2000年4月注册于开曼群岛，，总部位于上海，，为客户提供全方位的服务，，蕴含集成电路设计服务，，光掩膜出产，，芯片制作和测试服务。。更多信息，，请浏览公司网站：：：www.smics.com。。
MoSys和1T-SRAM概述
MoSys(纳斯达克股票标识：：：MOSY)成立于1991年，，为半导体厂商提供新型存储技术的开发、授权及销售。。MoSys的1T-SRAM专利技术汇集了其他存储技术无法比力的利益，，蕴含高密度、低功耗、高速度和低成本。。即便使用在统一尺度逻辑工艺中，， 一个1T-SRAM存储器晶体管的密度远高于四个 至六个传统的SRAM晶体管的密度。。
1T-SRAM技术可提供类似于传统SRAM所熟悉之毋庸刷新的界面和肆意地址接见周期的高机能。。此外，，与传统的SRAM相比，，该技术还降低4倍的操作功耗，，为系统级芯片设计植入更大容量的存储器创制了梦想的前提。。得到MoSys授权的多家公司已经在50,000,000多片芯片上选取了1T-SRAM植入技术，，而在硅工艺和产品上的宽泛利用，，证了然其良好的工艺性。。MoSys总部位于1020 Stewart Drive, Sunnyvale, California 94085。。更多信息，，请浏览网站：：：http://www.mosys.com.
